IBMコーポレーション（IBM）と東芝<6502>は18日、32ナノメートル（nm）世代のバルクCMOS（半導体の製造）プロセス技術を共同開発することについて合意した。
両社は、2005年12月から、米国ニューヨーク州ヨークタウンやアルバニーにある研究施設において、32nm以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めてきた。今回の合意により、これまでの基礎研究の成果を基に、共同開発対象を32nm世代のバルクCMOSプロセス技術まで広げる。
今回の合意により東芝は、現在IBMとそのパートナー企業の合わせて6社が米国ニューヨーク州イースト・フィッシュキルで行っている、32nm世代のバルクCMOSプロセス技術の共同開発のアライアンスに加わることになる。
今後両社は、32nm世代の高性能・低消費電力チップの実現に向けた技術開発を加速し、世界の半導体業界におけるリーディングカンパニーを目指すという。